3、相控陣天線由於饋電誤差的影響，旁瓣電平惡化，抗干擾能力降低。
6、最後討論了對於差波束兩個切面旁瓣電平的優化的問題。
9、針對穩健MVDR波束形成的自適應方向圖旁瓣電平較高問題，提出一種自適應副瓣控制方法。
12、由於饋電誤差的影響，相控陣天線的指向精度降低，旁瓣電平惡化，抗干擾能力下降。
15、採用雙加權的失配處理分析方法，在時域進一步降低壓縮脈衝的旁瓣電平。
18、在約束陣列孔徑和陣元數的條件下，高效地實現了任意最小陣元間距約束下抑制峯值旁瓣電平(PSLL)的稀佈陣綜合。
2、這個比值叫做旁瓣電平(以分貝數表示)。
7、如旁瓣電平過大，很多科研工作者都在設法解決這些問題。
11、由於饋電誤差隨機分佈，提出了採用數字統計特徵分析旁瓣電平惡化情況的方法。
16、在採用子陣時延結構的寬帶數字陣列雷達中，子陣天線單元數變化會對數字陣*能的產生明顯影響，其中主要包括主瓣偏移和旁瓣電平兩方面。
1、論述了均值旁瓣電平和峯值旁瓣電平的基本原理。
8、最後討論了對於差波束兩個切面旁瓣電平的優化的問題
14、對二維陣列天線旁瓣電平優化和稀疏陣列方向圖綜合的良好結果也*了該方法的有效*。
4、針對線*調頻信號的旁瓣抑制介紹了經典海明窗加權處理方法，對二相編碼的旁瓣抑制使用了最優峯值旁瓣電平失配濾波法。
13、對於不同的重複頻率，與目標相對抗的雜波距離是不同的，因而對天線旁瓣電平的要求也不一樣。
5、通過理論分析和數值模擬，計算了峯值旁瓣電平的概率密度分佈，並給出了抑制旁瓣電平惡化的一些措施。
19、與原有方法相比，獲得更高的分辨率和低的旁瓣電平，對一幅二維isar圖像進行處理*了這種方法的正確*。
10、首先，以各單元饋電電流和單一陣元間距爲變量，對一般天線陣進行了降低旁瓣電平的優化。
17、最後使用一種帶變異算子的改進的粒子羣算法進行方向圖綜合設計，對陣列天線實現了旁瓣電平控制、主瓣形狀設計和在指定位置形成深零點和凹口。
