Ⅰ.*能的存儲是*能應用的主要瓶頸，配位*化物、富*載體化合物是目前所採用的主要儲*材料。(1)Ti(BH4)...

問題詳情：

Ⅰ.*能的存儲是*能應用的主要瓶頸，配位*化物、富*載體化合物是目前所採用的主要儲*材料。

(1)Ti(BH4)2是一種過渡元素硼*化物儲*材料。在基態Ti2＋中，電子佔據的最高能層符號爲________，該能層具有的原子軌道數爲________。

(2)液氨是富*物質，是*能的理想載體，利用N2＋3H22NH3實現儲*和輸*。下列說法正確的是________。

a．NH3分子中氮原子的軌道雜化方式爲sp2雜化

b．NH與PH、CH4、BH、ClO互爲等電子體

c．相同壓強下，NH3沸點比PH3的沸點高

d．[Cu(NH3)4]2＋中，N原子是配位原子

(3)已知NF3與NH3的空間構型相同，但NF3不易與Cu2＋形成配離子，其原因是________________________________________。

Ⅱ.*化*是生活中的常用調味品，也是結構化學中研究離子晶體時常用的代表物，其晶胞結構如圖所示。

(1)設*化*晶體中Na＋與跟它最近鄰的Cl－之間的距離爲r，則與Na＋次近鄰的Cl－個數爲________，該Na＋與跟它次近鄰的Cl－之間的距離爲________。

(2)已知在*化*晶體中Na＋的半徑爲a pm，Cl－的半徑爲b pm，它們在晶體中是緊密接觸的，則在*化*晶體中離子的空間利用率爲________。(用含a、b的式子

表示)

(3)納米材料的表面原子佔總原子數的比例很大，這是它有許多特殊*質的原因。假設某*化*顆粒形狀爲立方體，邊長爲*化*晶胞的10倍，則該*化*顆粒中表面原子佔總原子數的百分比爲___ _。

【回答】

解析　Ⅰ.(1)基態Ti2＋的核外電子排布式爲1s22s22p63s23p63d2，電子佔據的最高能層爲M層，該能層有s、p、d三個能級，具有1＋3＋5＝9個原子軌道。(2)NH3分子中氮原子的軌道雜化方式爲sp3雜化，a項錯誤。NH*有8個價電子，但ClO中價電子共有32個，因價電子總數不相等，因此它與NH不互爲等電子體，故b項錯誤。NH3能形成分子間*鍵，使其沸點高於PH3，c項正確。[Cu(NH3)4]2＋中，Cu原子核外有空軌道，而N原子核外有孤對電子，故N原子是配位原子，d項正確。

Ⅱ.(1)根據*化*晶胞結構可知與Na＋次近鄰的Cl－共有8個。晶胞面對角線的長度爲r，所求距離爲晶胞體對角線的長度，爲＝r。(2)晶胞邊長＝2(a＋b)pm，晶胞體積V＝[2(a＋b)]3pm3；1個晶胞中有4個NaCl，則離子體積V′＝[4×πa3＋4×πb3]pm3，所以離子的空間利用率爲×100%＝××100%。(3)若立方體*化*顆粒邊長爲*化*晶胞的10倍，則立方體*化*顆粒的棱上有21個原子(10個Cl－和11個Na＋)，那麼該立方體的原子總數爲213＝9 261。而該立方體的每條棱的相應裏面一層(緊靠)的棱上有19個原子(10個Cl－和9個Na＋)，即該立方體中有193＝6 859個原子處於立方體內部，所以該立方體表面原子個數爲：213－193＝2 402，因而表面原子佔總原子數的百分比爲×100%≈26%。