相關載流直的文學知識

問題詳情：如圖所示，用兩根相同的細繩水平懸掛一段均勻載流直導線MN，電流I方向從M到N，繩子的拉力均為F．為使F=0，可能達到要求的方法是（）   A．加水平向右的磁場B．加水平向左的磁場   C．加垂直紙面向裏的磁場D．加垂直紙面向外...

本文提出了一種測量少數載流子壽命的方法。提出了一種快恢復二極管新結構:少數載流子壽命橫向非均勻分佈。本文提出了一種新的測量半導體材料中少數載流子壽命的方法。...

1、本文提出了一種測量少數載流子壽命的方法。2、材料中的光生載流子壽命對輻*也有一定的影響。3、提出了一種快恢復二極管新結構:少數載流子壽命橫向非均勻分佈。4、本文提出了一種新的測量半導體材料中少數載流子壽...

整流器;整流管:一種將交流電流轉化為直流電流的裝置,如二極管.大多數的數字多用表具有五種測量功能:直流電壓、交流電壓、歐姆、直流電流和交流電流。直流電流源或電壓源。可指定交流分量的大小。確保直流電流表指示...

這種光誘導剩餘極化減小的疲勞，主要機理是光生載流子電疇釘扎。光照時電導率增加，光注入後因光生載流子對缺陷態的填充使費米能級上移，從而使激活能減小；基於全內反*原理和光生載流子注入效應，研究了一種Y分叉全內反*型全...

*海*臨沂艦、濰坊艦,各攜艦載直升機一架,與微山湖艦和一個海*特戰分隊,組成中方參演艦艇編隊。中馬雙方3架固定翼飛機飛赴事發海域,搜索定位被劫持船隻後,海上行動艦艇抵達事發海域,雙方3架艦載直升機將空中突擊組人...

1、與常温情況相比，低温下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更為劇烈地上升。2、與常温情況相比，低温下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更為劇烈地上升3、本文提出了低温區高精度的禁帶寬度的表達式，獲得了低温區本徵...

研究二長直電流間載流導線的橫向非線*振動,採用廣義加權殘值法將偏微運動方程簡化....

這就是因為載流導體周圍有一磁場。本文考慮相對論效應和自感應霍耳效應，*載流導體是帶電的。振動台體的基本工作原理是基於載流導體在磁場中受到電磁力作用的安培定律。電氣設備和載流導體的選擇、繼電保護、自動裝置...

在某些情況下，這些*跳窗口根本不等待用户的拒絕請求，就直接下載病毒到用户的電腦上。惟一的一種消除（或至少是最小化）由服務器延遲引起的工作流中斷的方法是將數據和功能直接下載到用户的計算機。她停在路邊，在電話中打開...

1、在這個區內的載流子濃度被消耗殆盡。2、這個過程與載流子濃度和晶格温度有密切關係。3、非計量摻雜*時，空穴濃度大於電子濃度，載流子濃度和遷移率同時影響導電率。4、移動的載流子遷移到冷端後會形成載流子濃度差，從...

“綠雲藏古墓掃眉才子,千載流芳…….“綠雲藏古墓掃眉才子，千載流芳……。...

永磁體分散*對空載電流、空載功率因數、負載功率因數和過載能力影響較大，而對額定運行時的效率、電流影響不大。...

電纜的載流量採用二分法進行迭代求解。圖所示為剛*印製不活蝕刻的銅導線的載流量。電纜的載流量採用二分法進行迭代求解.變壓器饋電線的載流量不應低於變壓器的額定電流。負荷不均勻的雙迴路運行時，其中增加一回路負荷...

目前,unicorn株式會社銷售的數字式可程式直流電子負載具有先進的技術.CH8700程控直流電子負載系列可廣泛運用於電源變壓器，充電器，開關電源，蓄電池等行業的在線測試與實驗室等試驗領域。...

高層建築物其實就是一細長的、能抵擋橫向和垂直荷載的垂直懸臂樑。敍述了一種新的承載力簡化計算方法，這種方法通過垂直土反力承擔抗傾覆彎矩，來考慮垂直荷載對水平承載力的影響。在對應垂直荷載作用下，直剪試驗的抗剪強...

1、破帽遮顏過鬧市，漏船載酒泛中流2、破帽遮顏過鬧市，漏船載酒泛中流。3、運交華蓋欲何求？未敢翻身已碰頭。破帽遮顏過鬧市，漏船載酒泛中流。橫眉冷對千夫指，俯首甘為孺子牛。躲進小樓成一統，管他冬夏與春秋。魯迅4、運交華...

載流容量，是以安培數來定義導線安全載流能力。在345kV,採用市場上可買到的電纜,距離為26英里(41.6公里)時,未經補償電纜導線的載流能力已全部用於此充電電流(即無功電流——編者注)...

*作參數如柱温或載氣流速並不是確定不變的,它們可隨所研究的化合物的類型及所用氣相*譜儀的*質不同而改變。並對*譜柱、載氣流速、柱温溶劑、進樣量等*譜條件的選擇，以及試樣與溶劑的體積比的選擇進行了實驗。...

在考慮了各種散*效應對遷移率的影響後，提出了短溝道MOST表面載流子遷移率的温度模型。此外，表面粗糙散*和高場散*主要影響高場下載流子遷移率。另外試驗結果也給研究有機發光二極管中載流子遷移率提供了一些線索。對於...

Ge量子點中的退相可能是載流子-載流子散*和載流子-聲子散*共同作用的結果。用於修飾或説明其中既有多數載流子又有少數載流子的半導體器件。在熱載流子應力條件下，器件的退化主要是由於在漏極附近由熱載流子產生的損傷...

對深亞微米器件中熱載流子效應(hce)進行了研究。研究了MOS器件中的熱載流子效應，在分析了靜態應力下MOSFET壽命模型的基礎上，提出了動態應力條件下MOSFET的壽命模型。隨着MOS器件尺寸逐漸減小，由熱載流子效應導致的損傷...

1、本文提出了低温區高精度的禁帶寬度的表達式，獲得了低温區本徵載流子濃度的簡明公式。2、與常温情況相比，低温下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更為劇烈地上升。3、與常温情況相比，低温下本徵載流子濃度將隨雜質濃...

確保直流電流表指示升高大約5安培.確保直流電流表指示降低大約5安培（回到初始值）。...

在熱載流子應力條件下，器件的退化主要是由於在漏極附近由熱載流子產生的損傷缺陷引起的。對深亞微米器件中熱載流子效應(hce)進行了研究。熱載流子通過發*和吸收聲子，與晶格進行能量交換。熱載流子通過發*和吸收聲子,與...