3、凹槽-晶圓片邊緣上用於晶向定位的小凹槽。
6、單軸晶體的有一個方向的，沿此方向不發生光的雙摺*。用於晶體。
9、穿晶裂紋源於晶內形變損傷區，其擴展機制為沿滑移面的剪切斷裂。
12、從材料的多晶體結構角度，基於晶體塑*變形理論建立了多晶體模型。
15、對於晶格振動通常是這樣。
18、誤差分析表明，本註釋方法不但適用於晶帶軸平行於掃描電鏡光軸的情況，而且適用於晶帶軸傾斜於光軸的情況。
21、他似乎是對樹木作關於晶體的奇妙習*的發言。
24、通過分析研究，作者認為晶體生長過程中，介於晶體相與環境相之間的界面相起着重要的作用；
27、基於晶體場理論，系統地給出了鐵族離子32個點羣的晶場勢，並研究了座標系取法不同時晶場勢的變化。
1、孿晶由孿晶過程形成的。用於晶體。
5、結果表明：平行於晶界方向的壓應變可以促進晶界在相鄰晶界交互作用下發生遷移；垂直於晶界方向的壓應變則不能對晶界遷移產生明顯的效果。
10、氧在粘結底層和基體中的擴散是以晶界擴散為主，晶界擴散係數遠遠大於晶內的擴散係數。
14、輻*傳感器依賴於晶體材料，長株潭。
19、對於晶核中心的*質和作用還作了討論。
23、多個導電區塊形成於晶體管板上，且分別與每一薄膜晶體管電*連接。
28、80年代初期,在基於晶體管的結構上發展了更大功率的可關斷晶閘管(GTO),到90年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的功率則更大。
4、電極強度高於晶片電阻。
11、晶核的生成速度大於晶核成長速度的程度越大，鍍層結晶越細緻、緊密。
17、它的發生是由於晶狀體囊的後部——在手術當中為了用於支撐人工晶體而未被摘除的晶狀體部分——變得渾濁，從而損害您的視力。
25、由於晶粒細化和再結晶結果，基本得到強化，提高了球墨鑄鐵的綜合*能。
2、再結晶晶粒的生長速度與再結晶驅動力成正比，再結晶驅動力取決於晶界能和位錯密度。
13、由於晶核劑的補充加入，使燒結微晶玻璃的顯微結構得到調整，並有利於提高強度*能。
22、KDP晶體的表面及界面結構對於晶體的生長及缺陷的形成具有重要影響。
7、總結來説，本文*實乾膜光阻適用於晶圓級高頻覆晶封裝製程。
20、在垂直於晶鬚生長方向上沒有層錯的存在。
8、關於晶面結構各向異*對晶體生長影響的研究已有新的內容；
29、不僅記錄了晶體細胞膜上多種通道活動，還測量了不同種屬晶體上皮細胞的靜息膜電位和膜電容，以及位於晶體內不同深度的晶體纖維細胞間的縫隙連接電阻。
16、壓應力主要來源於晶格失配和熱失配。
26、介紹一種高精度數學晶閘管觸發器，它基於鎖相環同步，適用於雙反星形整流電路，並已成功地應用於晶閘管弧焊電流微機控制系統。
