3、非計量摻雜*時，空穴濃度大於電子濃度，載流子濃度和遷移率同時影響導電率。
6、與常溫情況相比，低溫下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更爲劇烈地上升。
9、用自動電化學C—V法測量了外延層的載流子濃度剖面分佈。
12、在室溫條件下測量電流和磁場的大小對載流子濃度和遷移率測量結果的影響。
15、在模型基礎上，研究了量子化效應對反型層載流子濃度和表面電勢的影響。
18、然後基於半導體的速率方程理論，建立了載流子濃度隨時間變化的數學模型。
21、比較了外延生長參數，如生長溫度、生長壓強、碳硅比和氣流流速，與生長率和淨載流子濃度的影響關係。
24、從聚合物光電池中光電流和暗電流的產生機制出發，對該現象進行了解釋，認爲外加磁場可以有效改變單重態極化子對和三重態極化子對之間的相對比例，進而使自由載流子濃度增加。
27、對多量子阱被動鎖模半導體激光器的噪聲理論進行了系統的分析，並給出了半導體激光器腔內相位隨載流子濃度變化的關係。
31、用溶膠–凝膠法制備的鈷摻雜氧化鋅薄膜在不同氣氛下退火後均顯示室溫鐵磁*，並且具有不同的載流子濃度。
4、移動的載流子遷移到冷端後會形成載流子濃度差，從而在材料兩端產生熱電電壓。
8、測試晶體的吸收光譜、指數增益係數、衍*效率和有效載流子濃度。
13、經過激光處理後樣品表面一薄層載流子濃度超過了雜質的固溶度極限。
17、爲了改善反向恢復特*，必須降低通態過程中靠近陽極的過剩載流子濃度。
22、結果表明，和*溴*對PANI的質子*摻雜不同，溴摻雜過程中產生的溴負離子增加了PANI的載流子濃度，形成了電子轉移複合物，提高了聚苯*的電導率。
26、從狹縫光掃描時一維載流子濃度分佈的理論出發，計算了SPRITE器件的最佳讀出區長度，討論了壽命對SPRITE器件*能的影響。
1、在這個區內的載流子濃度被消耗殆盡。
7、與常溫情況相比，低溫下本徵載流子濃度將隨雜質濃度的上升更爲劇烈地上升
14、紅外等離子反*光譜與晶體材料的載流子濃度、遷移率和有效質量等參數有關。
20、該表達式可以用來預測激光器激*工作時，兩段載流子濃度和激*波長之間的相互關係。
28、其原因是硼元素的摻入促進了金剛石單晶的(111)晶面生長，使受主能級提高，晶體的帶隙變窄，載流子濃度提高。
5、得到了電子亞帶能量和波函數隨自由載流子濃度的變化規律。
16、透過霍爾效應實驗測定的霍爾係數，能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。
25、本文敘述了透過自動電化學c - V剖面圖技術，在寬的摻雜和深度範圍內，載流子濃度縱向分佈的測量。
10、本文從一簡單模型出發，計算了絲狀發光器件的電流密度、電壓、載流子濃度和增益分佈。
23、隨着載流子濃度的增加，可以看到各分立量子點的分立能級過渡到了各量子點相互統一的準連續態，逐漸消除了量子點的尺寸分佈效應。
11、本文提出了低溫區高精度的禁帶寬度的表達式，獲得了低溫區本徵載流子濃度的簡明公式。
2、這個過程與載流子濃度和晶格溫度有密切關係。
19、分析認爲該電匯出現極值的現象是因爲高溫晶格氧析出導致樣品空穴載流子濃度降低所致。
29、利用耦合波方程，對兩段式DF B激光器進行理論分析，得出了激光器激*工作時兩段載流子濃度和激*波長之間所滿足的隱含表達式。
