問題詳情：
高純度的單晶硅是製做電子集成電路的基礎材料。工業上製備高純硅的化學反應原理爲：
①SiO2+2C
Si+2CO②Si+3HCl
HSiCl3+H2③HSiCl3+H2
Si+3X
反應①製得粗硅，透過反應②③進一步得到高純硅；三*硅*（HSiCl3）的沸點是 31.8℃．下列有關說法不正確的是（ ）
A．反應③中X 的化學式爲 HCl
B．三*硅*由*、硅、*三種元素組成
C．三*硅*中硅、*元素的質量比爲 1：3
D．反應②③實現了硅元素的富集，將粗硅轉化爲高純硅
【回答】
【分析】根據給出的轉化關係對應的過程分析每個對應的問題，或者直接分析每個問題，從給出的資訊中找對應的資訊。
【解答】解：
A、③HSiCl3+H2
Si+3X，根據質量守恆定律可知，反應③中X 的化學式爲 HCl．正確；
B、三*硅*（HSiCl3）由*、硅、*三種元素組成。正確；
C、三*硅*（HSiCl3）中 1：3是硅、*元素的原子個數比而非質量比。錯誤；
D、反應②③實現了硅元素的富集，將粗硅轉化爲高純硅。正確；
故選：C。
【點評】讀資訊，從中獲得解答題目所需的資訊，所以在解答題目時先看解答的問題是什麼，然後帶着問題去讀給出的資訊進而去尋找解答有用的資訊，這樣提高了資訊捕捉的有效*。
知識點：各地中考
題型：選擇題
