在分析晶体缺陷研究的基础上提出了对铌*锂晶体进行缺陷控制的意义及理论依据，指出缺陷控制的主要任务是保护锂格位。
一百同一掺杂量的铌*锂晶体，与生长态的相比，晶体缺陷氧化态的增加，还原态的减少。
采用X-*线衍*仪、透*电镜研究了可锻铸铁白口组织中硅对共晶渗碳体点阵参数、晶胞体积及晶体缺陷的影响。
正电子湮没参数的周期*，与点阵畸变和晶体缺陷的周期*变化有关。
一百通常讲，具有更少的晶体缺陷，更光滑的外形、更高的晶体密度，则有利于降低炸*的感度，提高安全*。
我们认为这里的晶体缺陷是致命缺陷。
研究了中子辐照下钛宝石单晶体缺陷的形成及光学*能的变化
再结晶虽然可能细化了晶粒，但大量消耗了热变形奥氏体中的晶体缺陷，其结果是迟滞了相变过程。
在对合成金刚石晶体的宝石学初步研究的基础上，利用同步辐*劳埃形貌相，对合成金刚石的晶体缺陷进行了初步研究。
由于V_4C_3沿奥氏体的晶体缺陷析出，故这些缺陷将遗传至马氏体中。
由于正方形二维光子晶体具有光子禁带，所以在光子晶体缺陷处可形成对光子束缚的缺陷本征模。
基本模型是跨越传统学科的治疗，不仅在方法上的讨论，而且在晶体缺陷，微观结构，流体，聚合物和软物质的章节。
二百随牵伸速率的增大，LDPE相结晶度出现先增加后减小的变化，晶体缺陷增多。
通常采用含两个耦合参数的紧束缚近似，就能很好地描述光子晶体缺陷因耦合而导致的共振频率*。
本文讨论了由晶体缺陷所致的自增强衍*光，富集于缺陷的空间电荷所致的空洞场，以及由此场导致的发生在畴界上的静电斥力对此损伤所起的作用。
变形温度高则回复快，晶体缺陷消失速度快，不利于晶粒的细化，甚至还会出现晶粒长大现象。
发现钨和碳化钨粉形状复杂，多为树枝状或链状颗粒团形式，碳化钨粉中有较多的晶体缺陷。
