3、用于增强和取代多晶硅的难熔金属和难熔金属硅化物通常是用物理蒸发沉积工艺沉积的。
6、本发明方法制备的金属硅化物层热稳定*高，且生长速度可控。
9、目前主要的改善方法是向铝包镍中添加元素，例如：添加金属钼、镍硼粉和难熔金属硅化物等。
12、一种微波*等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，用于薄膜制备领域。
4、特别是，当难熔金属硅化物薄膜是硅化物薄膜的钨，铜的浓度最好，它在0.1至1.0范围为野生。％。
8、进行第二次退火以便将通过第一次退火的两次热循环形成的富金属硅化物相转化成处于其最低电阻相的金属硅化物(68)相。
1、因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业。
7、本发明公开了一种金属硅化物的形成方法，包括步骤：提供一表面含硅材料的衬底；
2、阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特*。
11、金属硅化物因其薄膜电阻率低，熔点高，化学*质稳定，在微电子领域具有广阔的使用前景。
5、金属硅化物的制备方法和工艺条件对硅化物的形成及分布有显著的影响，从而影响其显微结构。
10、本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。
