研究了离子束溅*制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。
采用*频溅*制备bst薄膜,研究了薄膜的介电击穿特*。
最后使用磁控溅*制备了锑锡合金薄膜,并改变参数制备出不同结构及*能的薄膜。
第五章研究了直流磁控溅*制备Sb掺杂TiO成膜特点。
研究结果表明,磁控溅*制备的碳*膜为非晶结构。
研究了离子束溅*制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。
采用*频溅*制备bst薄膜,研究了薄膜的介电击穿特*。
最后使用磁控溅*制备了锑锡合金薄膜,并改变参数制备出不同结构及*能的薄膜。
第五章研究了直流磁控溅*制备Sb掺杂TiO成膜特点。
研究结果表明,磁控溅*制备的碳*膜为非晶结构。