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电介质击穿造句
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造句
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通过固体
电介质击穿
理论的分析,提出由局部*缺陷发展逐渐导致介质击穿需要较长的发展时间。
因此击穿电压的检测必须重视
电介质击穿
现象的电参数值的测量。
提出了芯片门电路硅氧化层静电放
电介质击穿
的物理模型。
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造句
介质击穿
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